只读存储器-ROM
MASK ROM
一旦芯片生产出来,就无法修改,擦除和重写数据。
PRPM ( Programmable ROM )
可编程只读存储器,只允许写入一次,所以也被称为”一次可编程只读存储器“(one time programming ROM)
UVEPROM
一种断电后仍可以保留数据的计算机存储芯片-非易失性的。
采用强紫外线照射来擦除。
EEPROM
可电擦除、可编程的ROM,按字节进行删除和重写,写入时间很长很慢。
可以随机访问与修改,成本高,电路复杂,但具有较高的可靠性。
目前的EEPROM都是几十KByte到几百KByte,很少有超过512KByte。
随机存储器-RAM
DRAM
DRAM保留数据的时间很短,因此需要刷新电路,每隔一段时间刷新一次,否则数据会消失,速度比SRAM慢,不过比ROM快,但从价格来说DRAM比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM。
SRAM
SRAM速度是目前读写最快的存储设备,不需要刷新电路即能保存数据。集成度较低,非常昂贵,cache用的即使SRAM。
闪存-FLASH
闪存属于广义上的ROM,其与EEPROM最大的区别就是FLASH按扇区进行擦除,简化了电路,数据密度更高,降低了成本。
NAND Flash Memory
一般容量较大,支持整页读写/编程,而且容量成本更低,但是随机读写速度较慢,而且不支持XIP ( 需要将代码拷贝到内部RAM才能执行 )。
固态硬盘、EMMC存储介质均为NAND FLASH,只是控制器和协议接口不同。
SD卡、EMMC、UFS2.0等存储介质均为NAND FLASH,速度差异主要体现在数据传输协议上。
NOR Flash Memory
一般容量较小,随机读写的速度比较快,支持XIP,但容量成本较高,一般用做代码存储。如MCU的代码存储区。