存储器分类

只读存储器-ROM

MASK ROM

一旦芯片生产出来,就无法修改,擦除和重写数据。

PRPM ( Programmable ROM )

可编程只读存储器,只允许写入一次,所以也被称为”一次可编程只读存储器“(one time programming ROM)

UVEPROM

一种断电后仍可以保留数据的计算机存储芯片-非易失性的。

采用强紫外线照射来擦除。

EEPROM

可电擦除、可编程的ROM,按字节进行删除和重写,写入时间很长很慢。

可以随机访问与修改,成本高,电路复杂,但具有较高的可靠性。

目前的EEPROM都是几十KByte到几百KByte,很少有超过512KByte。

随机存储器-RAM

DRAM

DRAM保留数据的时间很短,因此需要刷新电路,每隔一段时间刷新一次,否则数据会消失,速度比SRAM慢,不过比ROM快,但从价格来说DRAM比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM。

SRAM

SRAM速度是目前读写最快的存储设备,不需要刷新电路即能保存数据。集成度较低,非常昂贵,cache用的即使SRAM。

闪存-FLASH

闪存属于广义上的ROM,其与EEPROM最大的区别就是FLASH按扇区进行擦除,简化了电路,数据密度更高,降低了成本。

NAND Flash Memory

一般容量较大,支持整页读写/编程,而且容量成本更低,但是随机读写速度较慢,而且不支持XIP ( 需要将代码拷贝到内部RAM才能执行 )。

固态硬盘、EMMC存储介质均为NAND FLASH,只是控制器和协议接口不同。

SD卡、EMMC、UFS2.0等存储介质均为NAND FLASH,速度差异主要体现在数据传输协议上。

NOR Flash Memory

一般容量较小,随机读写的速度比较快,支持XIP,但容量成本较高,一般用做代码存储。如MCU的代码存储区。

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Source: github.com/k4yt3x/flowerhd
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